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電爐控制柜采用觸發(fā)變壓器隔離控制系統(tǒng)
點(diǎn)擊次數(shù):2156 更新時(shí)間:2019-01-23
電爐控制柜可供一般工業(yè)用電阻爐指示、控制和記錄爐溫用,主回路采用接觸器作為開關(guān)元件,采用固態(tài)繼電器作為控制溫度的執(zhí)行元件。溫控表采用帶有PID電流調(diào)節(jié)的智能型儀表,記錄儀表采用中圓圖記錄儀,以提高記錄精度
根據(jù)爐溫對給定溫度的偏差,自動接通或斷開供給爐子的熱源能量,或連續(xù)改變熱源能量的大小,使?fàn)t溫穩(wěn)定有給定溫度范圍,以滿足熱處理工藝的需要。電爐控制柜常用調(diào)節(jié)規(guī)律有二位式、三位式、比例、比例積分和比例積分微分等幾種。電阻爐爐溫控制是這樣一個(gè)反饋調(diào)節(jié)過程,比較實(shí)際爐溫和需要爐溫得到偏差,通過對偏差的處理獲得控制信號,電爐控制柜去調(diào)節(jié)電阻爐的熱功率,從而實(shí)現(xiàn)對爐溫的控制。
1、按照偏差的比例、積分和微分產(chǎn)生控制作用(PID控制),是過程控制中應(yīng)用zui廣泛的一種控制形式。
2、二位式調(diào)節(jié)--它只有開、關(guān)兩種狀態(tài),當(dāng)爐溫低于限給定值時(shí)執(zhí)行器全開;當(dāng)爐溫高于給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。
3、三位式調(diào)節(jié)--它有上下限兩個(gè)給定值,當(dāng)爐溫低于下限給定值時(shí)接觸器全開;當(dāng)爐溫在上、下限給定值之間時(shí)執(zhí)行器部分開啟;當(dāng)爐溫超過上限給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。如管狀加熱器為加熱元件時(shí),可采用三位式調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)加熱與保溫功率的不同。
電爐控制柜采用前后開門式通用控制柜體,儀表和控制開關(guān)等直接裝在前門上,控制電器用支架固定在柜內(nèi)上下方。派生品種在前門上加裝相應(yīng)的電動機(jī)控制按鈕和指示燈,控制柜安置離墻要留有大于600mm的距離,以方便打開控制柜后門,進(jìn)行維修。
電爐控制柜系統(tǒng)在溫度自動控制領(lǐng)域是為常見的控制類型之一。溫度控制器主要由溫度傳感器、溫度調(diào)節(jié)儀、電加熱器執(zhí)行裝置、被控對象四個(gè)部分組成,其系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。被控制對象是大容量、大慣性的電熱爐溫度對象,是典型的多階容積遲后特性,在工程上往往近似為包含有純滯后的二階容積遲后;由于被控對象電容量大,通常采用可控硅作調(diào)節(jié)器的執(zhí)行器。
電爐控制柜按熱量產(chǎn)生的方法不同,可分為間接加熱式和直接加熱式二大類。間接加熱式電阻爐,就是在爐子內(nèi)部有的電阻材料做的發(fā)熱元件。電流通過加熱元件時(shí)產(chǎn)生熱量,再通過熱的傳導(dǎo)、對流、輻射而使放置在爐中的爐料被加熱。直接加熱式電阻爐,電源直接接在所需加熱的材料上,使強(qiáng)大的電流直接流過所需加熱的材料而使材料自己發(fā)熱達(dá)到加熱效果。工業(yè)電阻爐,大部分是采用間接加熱式的,只有一部分因加熱工藝人的特殊需要而采用直接加熱式。
使用可控硅電爐控制柜的廠家,應(yīng)該要注重對可控硅電爐控制柜和電爐做日常的維護(hù)保養(yǎng),定期對熱處理控制系統(tǒng)進(jìn)行全面性的檢測,消除一些潛在隱患,降低設(shè)備的故障率,避免因電爐控制柜和電爐出現(xiàn)故障而造成不必要的損失。
在電子制作中,運(yùn)用單向或雙向可控硅作為開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件是很方便的,而且還可以控制直流、交流電路的負(fù)載功率。但是,目前有些電子制作文章中,對可控硅控制柜的運(yùn)用常有謬誤之處。可以說,此類電子制作稿純粹是杜撰出來的,不要說制作,恐怕作者連起碼的實(shí)驗(yàn)也未做過,這豈不是造成對初學(xué)者的誤導(dǎo)嗎?常見的電路設(shè)計(jì)不當(dāng)之處大約有心下幾點(diǎn)
觸發(fā)電路的問題
若欲使可控硅控制柜觸發(fā)導(dǎo)通,除有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外,觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點(diǎn)。有些電路從表面看,觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G,但可控硅的陰極和觸發(fā)信號卻無共同參考點(diǎn),觸發(fā)信號并未加到可控硅的G-K之間,可控硅不可能被觸發(fā)。
該文制作者考慮到水井和水塔中的水不能帶市電,故555控制系統(tǒng)用變壓器隔離降壓供電。555第3腳輸出脈沖接入雙向可控硅的G點(diǎn)。
由于可控硅控制柜T1對控制電路是懸空的,555第3腳輸出脈沖根本不能形成觸發(fā)電流,可控硅控制柜不可能導(dǎo)通。再者,該電路雖采用隔離市電的低壓供電,但控制電路仍然通過G、T1極與市電相連,當(dāng)220V輸端B為火線時(shí),井水和水塔供水將代有市電電壓,這是絕不允許的!
上述電路因設(shè)計(jì)考慮不周,出現(xiàn)了不該有的低級錯(cuò)誤。但類似水塔供水控制系統(tǒng)與市電不隔離的設(shè)計(jì),卻常出現(xiàn)在電子書刊中。
觸發(fā)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)牡诙€(gè)例子常見于電子制作稿中,圖中對電路進(jìn)行簡化。其實(shí),無論控制系統(tǒng)完成何種控制,無論是單向還是雙向可控硅,圖2的觸發(fā)電路是不能正常工作的。
其問題在于,可控硅控制柜發(fā)出觸發(fā)信號UG,其參考點(diǎn)是共地,而可控硅T1或T2的參考點(diǎn)是負(fù)載熱端。實(shí)實(shí)上,加到可控硅的觸發(fā)電壓UG是與負(fù)載端電壓UZ相串聯(lián)的。雙向可控硅究竟是T1還是T2為觸發(fā)參考點(diǎn),視觸發(fā)信號的相對極性來決定的。如按圖2中標(biāo)注,T1在下,T2在上,則UC相對于T1必須是正極性的,且與T1的電壓同參考電位。但無論T1還是T2作參考點(diǎn),按圖2的接法,可控硅導(dǎo)通時(shí),UZ常近似等于Uin,如此高電壓加到觸發(fā)極G和T1之間,將立即使觸發(fā)極被擊穿,可控硅被損壞。
改進(jìn)此電路的方法之一是,可控硅控制柜采用觸發(fā)變壓器隔離控制系統(tǒng)的參考點(diǎn),觸發(fā)信號可以由BT33組成鋸齒波發(fā)生器受控于控制系統(tǒng)(矩形波也可以),這樣,不受初級參考點(diǎn)的影響,觸發(fā)變壓器次級可直接接在G與T1之間,與負(fù)載上電壓無關(guān)。
電爐控制柜原理
根據(jù)爐溫對給定溫度的偏差,自動接通或斷開供給爐子的熱源能量,或連續(xù)改變熱源能量的大小,使?fàn)t溫穩(wěn)定有給定溫度范圍,以滿足熱處理工藝的需要。溫度自動控制常用調(diào)節(jié)規(guī)律有二位式、三位式、比例、比例積分和比例積分微分等幾種。電爐控制柜是這樣一個(gè)反饋調(diào)節(jié)過程,比較實(shí)際爐溫和需要爐溫得到偏差,通過對偏差的處理獲得控制信號,去調(diào)節(jié)電阻爐的熱功率,從而實(shí)現(xiàn)對爐溫的控制。
1)按照偏差的比例、積分和微分產(chǎn)生控制作用(PID 控制),是過程控制中應(yīng)用zui廣泛的一種控制形式。
2)二位式調(diào)節(jié)--它只有開、關(guān)兩種狀態(tài),當(dāng)爐溫低于限給定值時(shí)執(zhí)行器全開;當(dāng)爐溫高于給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。(執(zhí)行器一般選用接觸器)
3)三位式調(diào)節(jié)--它有上下限兩個(gè)給定值,當(dāng)爐溫低于下限給定值時(shí)接觸器全開;當(dāng)爐溫在上、下限給定值之間時(shí)執(zhí)行器部分開啟;當(dāng)爐溫超過上限給定值時(shí)執(zhí)行器全閉。(如管狀加熱器為加熱元件時(shí),可采用三位式調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)加熱與保溫功率的不同三、電加熱器執(zhí)行器的特性:
電爐的溫度調(diào)節(jié)是通過調(diào)節(jié)器(供電能源) 的斷續(xù)作用,改變電爐絲閉合時(shí)間T b 與斷開時(shí)間T k 的比值α, α=Tb /Tk 。
調(diào)節(jié)加熱爐的溫度,在工業(yè)上是通過在設(shè)定周期范圍內(nèi),將電路接通幾個(gè)周波,然后斷開幾個(gè)周波,改變晶閘管在設(shè)定周期內(nèi)通斷時(shí)間的比例,來調(diào)節(jié)負(fù)載兩端交流平均電壓即負(fù)載功率,這就是通常所說的調(diào)功器或周波控制器;調(diào)功器是在電源電壓過零時(shí)觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的,所以負(fù)載上得到的是完整的正弦波,調(diào)節(jié)的只是設(shè)定周期T c 內(nèi)導(dǎo)通的電壓周波。設(shè)周期T c 內(nèi)導(dǎo)通的周期的波數(shù)為n ,每個(gè)周波的周期為T ,則調(diào)功器的輸出功率為P=n×T×Pn /Tc ,P n 為設(shè)定周期T c 內(nèi)電壓全通過時(shí)裝置的輸出功率。
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